只留磁控濺射是目前應(yīng)用最廣的鍍膜方法之一，首先備好規(guī)定厚度尺寸的（0.4~1.3mm）超薄玻璃片，經(jīng)去離子水洗、超聲波潔凈，進入真空室后，先進行SiO2鍍制，然后進入ITO鍍膜室鍍制ITO 膜，經(jīng)加熱固化退火后獲得成品。ITO導電膜玻璃全工藝過程均在高真空狀態(tài)下潔凈無塵通過Ar(氬)和O2（氧）氣體，經(jīng)過磁控濺射作用，在玻璃基片表面沉積氧化銦錫薄膜及加熱退火后而制成。在鍍膜工藝生產(chǎn)時，注意ITO膜主要特性是透明和導電，影響這兩個指標的最主要因素有濺射電壓、沉積速率、基片溫度、濺射壓力、氧分壓及靶材的Sn/In組分比。因此，在鍍制ITO透明導電膜時，應(yīng)盡可能采用低電壓濺射，防止膜層因受離子轟擊而損傷，使膜層電阻增大及形成低價黑色氧化物InO,降低了ITO玻璃的透光率。
用直流磁控濺射進行連續(xù)鍍ITO膜層，具有膜層厚度均勻、易控制、膜重復(fù)性好、穩(wěn)定、適于連續(xù)生產(chǎn)、可鍍大面積、基片和靶相互位置可按理想設(shè)計任意放置、可在低溫下制取致密的薄膜層、可采用合金靶反應(yīng)濺射、也可采用氧化靶直接濺射等諸多優(yōu)點。該方法適用于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)，ITO透明導電膜玻璃質(zhì)量好，規(guī)格品種多，耗能低。
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